ZHCSCK4A June   2014  – July 2014 CSD25202W15

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 商标
    2. 6.2 静电放电警告
    3. 6.3 术语表
  7. 7机械封装和可订购信息
    1. 7.1 CSD25202W15 封装尺寸
    2. 7.2 建议焊盘图案
    3. 7.3 卷带信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 低电阻
  • 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅 - 源电压钳位

2 应用范围

  • 电池管理
  • 电池保护

3 说明

这款 21mΩ，20V 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

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产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 -20 V
Qg 栅极电荷总量 (-4.5V) 5.8 nC
Qgd 栅漏栅极电荷 0.8 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = -1.8V 40 mΩ
VGS = -2.5V 26 mΩ
VGS = -4.5V 21 mΩ
VGS(th) 阀值电压 -0.75 V

订购信息(1)

器件 数量 介质 封装 出货
CSD25202W15 3000 7 英寸卷带 1.5mm x 1.5mm 晶圆级封装 卷带封装
CSD25202W15T 250 7 英寸卷带
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。


最大绝对额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 -20 V
VGS 栅源电压 -6 V
ID 持续漏极电流(1) -4 A
脉冲漏极电流(2) -38 A
IG 持续栅极电流(1) -0.5 A
脉冲栅极电流(2) -7 A
PD 功率耗散 0.5 W
TJ，
Tstg		 运行结温和
储存温度范围		 -55 至 150 °C
  1. 焊球受限
  2. RθJA = 220ºC/W（典型值），脉冲持续时间 ≤100µs，占空比 ≤ 1%

RDS(on) 与 VGS 间的关系

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栅极电荷

graph04_FrontPage2_SLPS508.png