TIDA-00122

汽车类 200 VA 高频逆变器设计

TIDA-00122

设计文件

概述

此设计提供基于 TI MSP430 和 UCD8220 数字管理推挽控制器的低成本小尺寸稳定型 200-VA 直流转交流逆变器。此设计面向汽车逆变器和用于商业用途的小型逆变器。在此设计中,升压级采用 UCD8220 从 12-V 电池获取 250-V 直流。MSP430 充当主机控制器,并为 UCD8220 和输出直流/交流电桥的驱动器提供 100-kHz 时钟。此逆变器的峰值效率为 90%,具有自然散热功能,无需散热风扇。

特性
  • 此逆变器设计的典型效率:86%
  • MSP430 的超低静态电流可最大限度降低功耗
  • UCD8220 的 TrueDrive™ 架构可增强低压状态下的电流驱动能力
  • 通过 TLV70433 从待机模式快速加电
  • 作为 TI 的低 Rdson 和低 Qg MOSFET,CSD18532 被选定用于控制切换和传导损耗
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDR397.PDF (172 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDR398.ZIP (23 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDC276.ZIP (270 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

MOSFET

CSD17313Q2采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
MOSFET

CSD17501Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF
MSP430 微控制器

MSP430G2203具有 2KB 闪存、256B SRAM、UART/SPI/I2C、计时器的 16MHz MCU

数据表: PDF
交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

UCD8220数字辅助推挽式 PWM 控制器

数据表: PDF | HTML
并联电压基准

TL431可调精密并联稳压器

数据表: PDF | HTML
线性和低压降 (LDO) 稳压器

TLV704150mA、24V、超低 IQ、低压降 (LDO) 稳压器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 用户指南 200-VA HF Inverter Design Based on UCD8220 and MSP430G2330 for Automotive Applications 2013年 3月 7日

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