TPD2EUSB30
- 支持 USB 3.0 数据速率 (5Gbps)
- IEC 61000-4-2 ESD 保护（4 级接触式）
- IEC 61000-4-5 浪涌保护
- 5A (8/20µs)
- 低电容
- DRT：0.7pF（典型值）
- DQA：0.8pF（典型值）
- 动态电阻：0.6Ω（典型值）
- 节省空间的 DRT、DQA 封装
- 直通引脚映射
TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A 和 TPD4EUSB30 是基于 2 通道和 4 通道瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。TPDxEUSB30/A 器件的额定 ESD 冲击消散值达到了 IEC 61000-4-2 国际标准（接触式）规定的最高水平。根据 IEC 61000-4-5（浪涌）规范，这类器件还可提供 5A (8/20µs) 的峰值脉冲电流额定值。
TPD2EUSB30A 具有 4.5V 的低直流击穿电压。凭借低电容、低击穿电压和低动态电阻，TPD2EUSB30A 器件可为高速差分 IO 提供出色的保护。
TPD2EUSB30 和 TPD2EUSB30A 可采用节省空间的 DRT (1mm × 1mm) 封装。TPD4EUSB30 可采用节省空间的 DQA (2.5mm × 1.0mm) 封装。
技术文档
| 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPDxEUSB30 用于超高速 USB 3.0 接口的 2、4 通道 ESD 保护 数据表 (Rev. G) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.G) | PDF | HTML | 2021年 7月 22日 |
| 应用手册 | 用于 USB 接口的 ESD 和浪涌保护 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2024年 1月 23日 | |
| 用户指南 | 阅读并了解 ESD 保护数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2023年 9月 22日 | |
| 应用手册 | 高速信号的电容要求 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2023年 8月 25日 | |
| 应用手册 | ESD 包装和布局指南 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022年 9月 14日 | |
| 选择指南 | System-Level ESD Protection Guide (Rev. D) | 2022年 9月 7日 | ||||
| 应用手册 | ESD 保护布局指南 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2022年 7月 25日 | |
| 用户指南 | Generic ESD Evaluation Module User's Guide (Rev. A) | PDF | HTML | 2021年 9月 27日 | |||
| 白皮书 | Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments | 2016年 2月 10日 |
设计和开发
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ESDEVM — ESD 评估模块
<p>静电敏感器件 (ESD) 评估模块 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 产品系列的开发平台。为了测试任何型号的器件，该电路板支持所有传统的 ESD 封装结构。器件可以焊接到相应封装结构，然后进行测试。</p>
<p>如果是典型的高速 ESD 二极管，则应采用阻抗受控布局来获取 S 参数并剥离电路板引线。如果是非高速 ESD 二极管，则应采用有布线连接到测试点的封装结构，以便轻松运行直流测试，例如击穿电压、保持电压、漏电流等。该电路板布局还可以通过将信号引脚短接至信号所在的位置，轻松地将任何器件引脚连接到电源 (V<sub>CC</sub>) 或接地。</p>
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TINA-TI 安装需要大约 500MB。直接安装，如果想卸载也很容易。我们相信您肯定会爱不释手。
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|---|---|---|
| SOT-9X3 (DRT) | 3 | 查看选项 |
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