TPS2HCS10-Q1
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 温度等级 1：–40°C 至 125°C
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C5
- 可承受 35V 负载突降
- 根据功能安全要求进行开发
- 我们将在产品发布时提供有关安全机制的文档，这有助于使 ISO 26262 系统设计满足 ASIL-B 要求
- 双通道 SPI 控制型智能高侧开关，25°C FET 时具有典型 11mΩ Rdson
- 集成线束保护，无需 MCU 参与且采用 SPI 可编程熔断器曲线
- 针对持续过载情况提供保护
- 通过 SPI 可编程可调节过流保护提高系统级可靠性
- 过流保护阈值：10 至 70 A
- SPI 可配置电容充电模式，可满足各种容性输入 ECU 负载电流需求。
- 低静态电流，低功耗导通状态，可在负载电流增大时为具备自动唤醒功能的常开负载提供 MCU 的唤醒信号
- 强大的集成输出保护：
- 集成热保护
- 针对对地短路提供保护
- 反向电池事件保护包括 FET 通过反向电源电压自动开启
- 在失电和接地失效时自动关闭
- 集成输出钳位对电感负载进行消磁
- 通过 SPI 的数字检测输出可配置为：
- 使用集成式 ADC 准确地测量负载电流
- 测量输出或电源电压、FET 温度
- 通过 SPI 接口提供全面的故障诊断，并通过 FLT 引脚进行指示
- 开路负载和电池短路检测
TPS2HCS10-Q1 器件是一款通过串行外设接口 (SPI) 控制的双通道智能高侧开关。该器件集成了强大的保护功能，可确保在短路或过载情况下提供输出线路和负载保护。该器件具有过流保护功能，可通过 SPI 在两个阈值范围内进行配置。这可以提供足够的灵活性来支持需要大浪涌电流的负载，同时提供更好的保护。此外，该器件集成了可编程熔断器曲线（电流与时间的关系），可在持续过载条件下关闭开关，从而减少 MCU 的开销。这两个特性相互配合，可针对任何负载曲线优化线束，并提供全面保护。
该器件支持 SPI 可配置电容充电模式，适用于配电开关应用中的 ECU 负载。该器件还具有低静态电流导通状态，可提供高达 800mA 的峰值电流，同时消耗约 10µA 的电流。
TPS2HCS10-Q1 器件还通过 SPI 提供高精度数字电流检测，从而改进负载诊断。通过向系统 MCU 报告负载电流、通道输出电压和输出 FET 温度，该器件可实现开关和负载故障诊断。
TPS2HCS10-Q1 采用 HTSSOP 封装，可减小 PCB 尺寸。
技术文档
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS2HCS10-Q1 具有低静态电流导通模式和集成 I2t 导线保护的 11mΩ 汽车类双通道、SPI 控制型高侧开关 数据表 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2022年 6月 20日 |
| 应用手册 | Common Software Use Case Examples with TI Smart Fuse High-Side Switches | PDF | HTML | 2024年 5月 8日 | |||
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设计和开发
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包含信息：
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- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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