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TXB0102

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具有自动方向感应和 +/-15kV ESD 保护的 2 位双向电压电平转换器

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产品详情

Technology family TXB Applications GPIO, SPI, UART Bits (#) 2 Data rate (max) (Mbps) 100 High input voltage (min) (V) 0.78 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.2 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) -0.02 IOL (max) (mA) 0.02 Supply current (max) (µA) 8 Features Edge rate accelerator, Integrated pullup resistors, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Standard CMOS Output type 3-State, CMOS, Push-Pull Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Technology family TXB Applications GPIO, SPI, UART Bits (#) 2 Data rate (max) (Mbps) 100 High input voltage (min) (V) 0.78 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.2 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) -0.02 IOL (max) (mA) 0.02 Supply current (max) (µA) 8 Features Edge rate accelerator, Integrated pullup resistors, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Standard CMOS Output type 3-State, CMOS, Push-Pull Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
DSBGA (YZP) 8 2.8125 mm² 2.25 x 1.25 VSSOP (DCU) 8 6.2 mm² 2 x 3.1
  • 采用德州仪器 (TI) NanoFree™ 封装
  • A 端口支持 1.2V 至 3.6V 的电压， B 端口支持 1.65V 至 5.5V 的电压 (V CCA ≤ V CCB)
  • V CC 隔离特性—如果任何一个 V CC 输入在接地 (GND) 上，所有输出呈高阻态
  • 以 V CCA为基准的输出使能 (OE) 输入电路
  • 低功耗，I CC 最大为 4µA
  • I off 支持局部关断模式运行
  • 闩锁性能超过 100mA，符合 JESD 78 II 类规范的要求
  • ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • A 端口
      • 2500V 人体放电模型 (A114-B)
      • 200V 机器放电模型 (A115-A)
      • 1500V 充电器件模型 (C101)
    • B 端口
      • 15kV 人体放电模型 (A114-B)
      • 200V 机器放电模型 (A115-A)
      • 1500V 充电器件模型 (C101)
  • 采用德州仪器 (TI) NanoFree™ 封装
  • A 端口支持 1.2V 至 3.6V 的电压， B 端口支持 1.65V 至 5.5V 的电压 (V CCA ≤ V CCB)
  • V CC 隔离特性—如果任何一个 V CC 输入在接地 (GND) 上，所有输出呈高阻态
  • 以 V CCA为基准的输出使能 (OE) 输入电路
  • 低功耗，I CC 最大为 4µA
  • I off 支持局部关断模式运行
  • 闩锁性能超过 100mA，符合 JESD 78 II 类规范的要求
  • ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • A 端口
      • 2500V 人体放电模型 (A114-B)
      • 200V 机器放电模型 (A115-A)
      • 1500V 充电器件模型 (C101)
    • B 端口
      • 15kV 人体放电模型 (A114-B)
      • 200V 机器放电模型 (A115-A)
      • 1500V 充电器件模型 (C101)

TXB0102 器件是一款采用两个独立可配置电源轨的 2 位非反向转换器。A 端口旨在跟踪 V CCA。V CCA 支持从 1.2V 到 3.6V 范围内的任一电源电压。B 端口设计用于跟踪 V CCB。V CCB 支持从 1.65V 到 5.5V 范围内的任意电源电压。这使得该器件可在 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V 电压节点之间任意进行通用低压双向转换。V CCA 不可超过 V CCB。

当输出使能端 (OE) 输入为低电平时，所有输出都被置于高阻态。

该器件完全符合使用 I off 的部分断电应用的规范要求。当器件断电时，I off 电路将会禁用输出。这会抑制电流反流到器件中，从而防止损坏器件。

OE 必须通过下拉电阻器接地，以确保在加电或断电期间处于高阻抗状态；该电阻的最小值取决于驱动器的拉电流能力。

NanoFree™ 技术是 IC 封装概念的一项重大突破，它将硅晶片用作封装。

TXB0102 器件是一款采用两个独立可配置电源轨的 2 位非反向转换器。A 端口旨在跟踪 V CCA。V CCA 支持从 1.2V 到 3.6V 范围内的任一电源电压。B 端口设计用于跟踪 V CCB。V CCB 支持从 1.65V 到 5.5V 范围内的任意电源电压。这使得该器件可在 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V 电压节点之间任意进行通用低压双向转换。V CCA 不可超过 V CCB。

当输出使能端 (OE) 输入为低电平时，所有输出都被置于高阻态。

该器件完全符合使用 I off 的部分断电应用的规范要求。当器件断电时，I off 电路将会禁用输出。这会抑制电流反流到器件中，从而防止损坏器件。

OE 必须通过下拉电阻器接地，以确保在加电或断电期间处于高阻抗状态；该电阻的最小值取决于驱动器的拉电流能力。

NanoFree™ 技术是 IC 封装概念的一项重大突破，它将硅晶片用作封装。
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应用手册 A Guide to Voltage Translation With TXB-Type Translators 2010年 3月 3日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

5-8-LOGIC-EVM — 支持 5 至 8 引脚 DCK、DCT、DCU、DRL 和 DBV 封装的通用逻辑评估模块

灵活的 EVM 设计用于支持具有 5 至 8 引脚数且采用 DCK、DCT、DCU、DRL 或 DBV 封装的任何器件。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
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TXB-EVM — 1 至 8 位 TXB 转换器系列评估模块

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用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.A): PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

TXB0102 IBIS Model (Rev. A)

SCEM563A.ZIP (71 KB) - IBIS Model
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参考设计

TIDM-RF430FRLSENSE — RF430FRL152H NFC 温度和光传感器参考设计

此参考设计提供了评估 RF430FRL152H NFC 传感器接口应答器的平台。开箱之后，热敏电阻和光晶体管的测量值可直接传输到具有 NFC 功能的智能手机或其他 NFC/RFID 读取设备上。此参考设计可以在电池供电的情况下操作，将数据记录到 FRAM，也可以不使用电池，而利用从射频场收集的能量。
原理图: PDF
参考设计

TIDA-00403 — 采用 TLV320AIC3268 miniDSP 编解码器的超声波测距参考设计

TIDA-00403 参考设计使用针对超声测距解决方案的现成的 EVM，该解决方案使用 TLV320AIC3268 miniDSP 内的算法。通过将该设计与 TI 的 PurePath Studio 设计套件结合使用，只需点击鼠标即可设计出一个用户可配置的稳健的超声测距系统。用户可以修改超声波脉冲生成特性以及检测算法以适合工业和测量应用中的特定使用情况，从而让用户能解决其他固定功能传感器的限制，同时增加测量的可靠性。TLV320AIC3268 上的两个 GPIO 被自动触发，表明已发出并接收到超声波脉冲。通过利用主机 MCU 监测这些 GPIO 可以提取出飞行时间。
设计指南: PDF
原理图: PDF
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订购和质量

包含信息：
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  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
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  • 封装厂地点

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